Everspin
Everspin Technologies 在设计、制造和商业化交付离散和嵌入式磁阻随机存取存储器（MRAM）和自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）方面处于世界领先地位，应用于数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用。 迄今为止，Everspin 已在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，建立了全球最强大、增长最快的 MRAM 用户基础。
特色产品
8-bit /16-bit Parallel Interface MRAM
8位/16位并行接口MRAM与SRAM兼容，访问时间为35/45纳秒，并具有无限耐久性。数据在超过20年内保持非易失性。数据在掉电时通过低电压抑制电路自动保护，以防止电压不符合规范时进行写操作。
Quad Serial SPI Interface
| Size | Speed / Frequency | VDD | VDDQ | Part no. |
|---|---|---|---|---|
| 1Mb | 40MHz/104MHz | 3.3v | 1.8 | MR10Q010 |
SST-DDR Products
自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）设备使企业基础设施和数据中心提供商能够提高系统的可靠性和性能，在高性能数据持久性至关重要的情况下，通过无需使用超级电容器或电池的方式提供断电保护。
1Gb STT-MRAM (ST-DDR4)
| Size | Speed / Frequency | Configuration | Part no. |
|---|---|---|---|
| 1Gb | 667MHz | 128Mb x8, 64Mb x16 | EMD4E001G |
xSPI Products
xSPI 产品系列基于 EXpanded 串行外设接口，这是非易失性存储设备的最新 JEDEC 标准。它基于 Everspin 独特的工业 STT MRAM 技术。该产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数的 SPI 兼容总线接口，时钟频率高达 200 MHz。这些持久性存储 MRAM 设备运行在单一的 1.8V 电源上，通过八个I/O 信号读取和写入速度可达 400MBps。
Links
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